12月10日，比亞迪在寧波發布了IGBT4．0技術。

活動現場

比亞迪IGBT4．0晶圓

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor）全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的 “雙芯”，是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5％左右。對于電動車而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

作為中國第一家實現車規級IGBT大規模量產、也是唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企，此次發布會上，比亞迪還公布了另一消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優異的第三代半導體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

比亞迪推出IGBT4．0，引領車規級功率半導體發展

IGBT屬于汽車功率半導體的一種，因設計門檻高、制造技術難、投資大，被業內稱為電動車核心技術的“珠穆拉瑪峰”。此前，該技術主要掌握在國際巨頭手中。

“比亞迪依靠自身強大的研發實力、人才的聚集、產業鏈的配套，在汽車功率半導體領域有了非常核心的突破，這個突破不是今天想，明天投入就能實現的，是積累了十多年的技術、人才和產業鏈才能實現的。”中國半導體行業協會IC設計分會副理事長周生明在活動現場如此表示。

制造IGBT難度大，在大規模應用的1200V車規級IGBT芯片的晶圓厚度上，比亞迪處于全球先進水平，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發絲直徑）。

經過10余年的技術積累，比亞迪IGBT不斷迭代更新。活動現場，中國電器工業協會電力電子分會秘書長蔚紅旗表示：“比亞迪在電動車功率半導體領域布局較早，而且真抓實干，在電動車功率半導體領域創造了領先，中國的電動車發展不用擔心被‘卡脖子’了。”

據了解，此次比亞迪推出的IGBT4．0，在諸多關鍵技術指標上都優于當前市場主流產品，例如：

1．電流輸出能力較當前市場主流的IGBT高15％，支持整車具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。

2．同等工況下，綜合損耗較當前市場主流的IGBT降低了約20％。這意味著電流通過IGBT器件時，受到的損耗降低，使得整車電耗顯著降低。以比亞迪全新一代唐為例，在其他條件不變的情況下，僅此一項技術，就成功將百公里電耗降低約3％。

3．溫度循環壽命可以做到當前市場主流IGBT的10倍以上。這意味著比亞迪電動車在應對各種極端氣候、路況時，能有更高的可靠性和更長的使用壽命。此前，比亞迪電動車就以其優異的性能與穩定的可靠性，完成了從新疆吐魯番的高溫，到北歐的極寒、再到西藏高原的高海拔等全球最嚴苛自然環境的測試，并在全球300多個市場成功經歷了各種氣候、路況、駕駛習慣的考驗，得到廣泛認可。