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①從磁流變彈性體顆粒鐵磁性和基體粘彈性分析其磁致特征,在偶極子模型和耦合場物理模型的基礎上,提出了一種與磁場有一定角度的斜鏈耦合場模型的推導公式,推導出磁致剪切模量與顆粒初始傾斜角的關系:增大顆粒鏈的初始角度會降低磁致剪切模量,最后通過動態機械分析儀(DMA),對磁流變彈性體樣品進行了不同磁場、頻率的磁致剪切儲能模量、損耗模量及損耗因子測試,驗證了粘彈性模型的合理性。②在磁流變彈性體的工作模式上對磁流變隔振ENIDINE緩沖器的結構設計進行討論。結合粘彈性材料的基本模型—開爾文模型,構建了一個表征磁流變彈性體力學性能的粘彈性模型,并利用搭建的磁流變隔振ENIDINE緩沖器力學性能測試平臺,對其進行測試,測試結果表明,隨著電流的增大,其剪切剛度逐漸增大,可以表征為勵磁電流的函數。
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明顯地,這種可重構邏輯能擴展到任意的n輸入的情形。在n輸入可重構類偽NMOS邏輯電路中,通過電路的可重構性和不同的配置,僅僅使用1個PMOS管、1個NMOS管和n個SET最多能實現2n種邏輯功能,這能大大減少面積和功耗。5.設計了可重構單SET多輸入邏輯。我們從機理上對可重構類偽NMOS邏輯進行研究。基于該機理,我們設計了基于SETMOS混合結構的另一種可重構邏輯:可重構單SET多輸入邏輯,該種該類SETMOS混合邏輯中,其結構固定不變,由PMOS管、NMOS管與SET串聯構成,僅僅通過在SET的柵端增加電容和輸入的個數而改變其獲得新的功能。我們還根據可重構單SET多輸入邏輯結構設計了可重構NAND/NOR系列邏輯。
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因此,ENIDINE分析研究了在室溫條件下SET的新特性,基于SETMOS混合結構設計了類偽NMOS邏輯和可重構邏輯等,主要創新工作體現在:1.改進了SET的電導分析模型,并基于改進了的電導分析模型對其電導特性進行了初步分析。基于此模型,我們對柵-源、源-漏的電導特性進行了驗證,其結果與SET的I-V特性如庫侖振蕩、庫侖阻塞和庫侖臺階等完全相符。特別地,通過分析證明,該模型適用于0KT≤300K下的SET。此外,我們還利用該電導分析模型對SET負微分電導進行了驗證和初步分析。2.提出了能量量子化條件下的SET分析模型,并對該模型進行了驗證。從正則理論出發,計算出室溫條件下SET的臨界尺寸:存儲器件為6.9nm,邏輯器件為1.7nm;計算出SET室溫下發生能量量子化效應的臨界尺寸:2.3nm。
