ENIDINEOEM.5MBMB21541-辦事處

對類偽NMOS邏輯中的n輸入邏輯門,只要1個(gè)PMOS、1個(gè)NMOS、n個(gè)SET就能實(shí)現(xiàn)其功能,與CMOS邏輯相比,類偽NMOS邏輯節(jié)省了面積,與偽NMOS邏輯相比,類偽NMOS邏輯降低了功耗。更為主要的,類偽NMOS邏輯對基于SET的大規(guī)模集成是非常適合的。4.設(shè)計(jì)了基于SETMOS邏輯的可重構(gòu)反相器/ENIDINE緩沖器單元和可重構(gòu)類偽NMOS邏輯。我們設(shè)計(jì)了基于SETMOS邏輯的可重構(gòu)反相器/ENIDINE緩沖器單元,對該單元進(jìn)行了模擬并獲得了很好的結(jié)果,這是基于SETMOS邏輯進(jìn)行可重構(gòu)設(shè)計(jì)的跨越性的一步,為后續(xù)的可重構(gòu)設(shè)計(jì)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。根據(jù)可重構(gòu)反相器/ENIDINE緩沖器單元,我們提出了更為一般的基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)邏輯,同時(shí)結(jié)合第四章中提出的類偽NMOS邏輯,我們將基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)邏輯命名為可重構(gòu)類偽NMOS邏輯,通過對可重構(gòu)類偽NMOS邏輯中3輸入代表性電路、多級(jí)電路、多扇出電路的設(shè)計(jì)和模擬,分別研究了其面積、功耗、延遲、電壓擺幅和驅(qū)動(dòng)能力等多項(xiàng)性能指標(biāo),并與傳統(tǒng)的CMOS邏輯進(jìn)行比較。

ENIDINEOEM.5MBMB21541-辦事處ENIDINE（安力定）是上專業(yè)設(shè)計(jì)及生產(chǎn)液壓緩沖器、速度控制器、鋼繩隔振器、空氣彈簧及不銹鋼氣彈簧等能量吸收及隔振產(chǎn)品的制造商。ENIDINE是全球工業(yè)高度認(rèn)可的能量吸收和隔振的優(yōu)選方案，專業(yè)的設(shè)計(jì)能令您的設(shè)備工作時(shí)更寧靜，更安全及更有效率。 ENIDINE擁有種類豐富齊全的液壓緩沖器和速度控制器，OEM系列工業(yè)用標(biāo)準(zhǔn)型、TK系列、STH系列、PM系列、PRO系列、SINO系列、重型HD／HAD系列、重工業(yè)HI系列、Jarret系列、速度控制器ADA系列、DA系列等有近500種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品可供您選擇。

仿真結(jié)果表明,在5位控制字作用下,I或者Q路本振ENIDINE緩沖器的相移在0~8°的范圍內(nèi)呈現(xiàn)近乎線性的變化,而本振ENIDINE緩沖器的輸出功率的變化范圍只有0.2dB。"氣缸ENIDINE緩沖器在自動(dòng)化氣動(dòng)生產(chǎn)線上起著重要作用。目前這類ENIDINE緩沖器的產(chǎn)品很多，但對其原理，尤其是從結(jié)構(gòu)和機(jī)理等方面對其特性進(jìn)行詳細(xì)的理論和實(shí)驗(yàn)研究得很少。ENIDINE對氣動(dòng)ENIDINE緩沖器和氣缸用液壓ENIDINE緩沖器的結(jié)構(gòu)原理和特性進(jìn)行全面、系統(tǒng)的理論分析和實(shí)驗(yàn)研究，對ENIDINE緩沖器的設(shè)計(jì)、性能改進(jìn)和提高氣動(dòng)生產(chǎn)線的性能及可靠性有著重要的理論和工程實(shí)際意義。ENIDINE主要內(nèi)容有如下幾個(gè)方面：．在綜述氣動(dòng)技術(shù)的地位、發(fā)展現(xiàn)狀和展望的基礎(chǔ)上。

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(5)利用ANSYS軟件分別對優(yōu)化前后的波紋管進(jìn)行了動(dòng)力學(xué)仿真,對通道進(jìn)行了流體力學(xué)仿真,對比了優(yōu)化前后波紋管的剛度值、壓縮量,分析了通道流體速度場和壓力場分布情況,以此評價(jià)了優(yōu)化前后ENIDINE緩沖器的工作性能。ENIDINE以某發(fā)射裝置為研究背景,建立了發(fā)射裝置動(dòng)力學(xué)有限元模型,采用有限元法結(jié)合二次開發(fā)子程序進(jìn)行了仿真計(jì)算,研究了后坐過程中不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對發(fā)射裝置ENIDINE緩沖器動(dòng)態(tài)特性及炮口擾動(dòng)的影響,并應(yīng)用結(jié)構(gòu)優(yōu)化理論和遺傳算法對發(fā)射裝置ENIDINE緩沖器結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。主要內(nèi)容如下:探討了磁流變液關(guān)鍵技術(shù)及磁流變阻尼器的緩沖原理,建立了基于Bingham本構(gòu)模型的磁流變阻尼器力學(xué)模型,分析了結(jié)構(gòu)參數(shù)對ENIDINE緩沖器輸出阻力及其動(dòng)力可調(diào)系數(shù)的影響。