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- 產品品牌:ENIDI 產品單價:面議 最小起訂:1 供貨總量:5000 發貨期限:電議 發貨城市:德國
ENIDINE OEMXT 1.5Mx3阻尼器
該驅動芯片的實際仿真結果表明,本設計在5Gbp/s的速率上工作性能良好,且總功耗低于65mW,芯片整體面積約為1.1μmX1.1μm,目前該芯片已進入流片階段。"方面的不足,設計并實現了幾種提高系統性能的機制,并對這些機制進行了測試驗證。SANFS通過改造CIFS協議,充分利用SAN環境下各主機可共享存儲設備的優勢,分離元數據流和數據流,大大提高了系統I/O吞吐率。由于系統中元數據FDMT對數據讀寫的重要性和分布式環境的特殊性,原SANFS沒有妥善處理好其與OpLock的協調關系,導致性能表現不穩定,ENIDINE以提高系統整體性能為目標,以元數據安全性為出發點,通過詳細考察FDMT在系統進行讀寫時與客戶端和MDS的交互關系,提出了一種新的鎖策略,通過它重新規定了FDMT的預取、預分配及廢除機制,克服了性能不穩定問題。
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(2)磁流變液減振器總體設計:結合汽車減振器的阻尼特性要求和懸架安裝技術要求,選用了單筒單桿結構以解決雙筒底閥式結構的堵塞問題,設計了具有雙線圈的環形通道與旁通小孔并聯型電磁活塞頭組件。為改善活塞頭換向時阻尼力的圓滑過渡,在電磁活塞頭鐵芯上設計了旁通小孔。為防止電磁材料過早磁飽和、增加阻尼通道有效長度在鐵芯上繞制了反向串級雙線圈。為提高通道內磁場的穩定性與可控性,在鐵芯外設計了套筒。此外還對浮動活塞進行了設計和氣體補償腔內的氣壓進行了限定,從器件成本、性能等方面考慮,對構成各部分的材料進行了篩選。(3)減振器理論研究:按磁路設計準則建立了簡化的電磁活塞頭模型,由電磁材料的磁飽和限制條件算出了電磁活塞頭關鍵參數的取值范圍,對環形阻尼通道內的磁感應強度進行了分析并求解,用有限元法對計算結果進行了驗證。
高速ADC和高速DAC是整個相干光通信系統中的瓶頸。但是目前國內高速ADC的發展還很緩慢,與國際上的差距巨大。針對國內高速ADC的發
展現狀和未來通信系統對高速ADC的性能需求,本研究并設計了4bit的超高速ADC。芯片采用時間交織技術,將4路并行工作的快閃式ADC多路復用,達到提高芯片總體采樣率的目標,適用于在相干光中對多電平調制的信號數字化處理。整個的工作持續了一年多,對基于雙極型晶體管的ADC有深入的研究。ENIDINE的主要研究內容如下:1.對基于16QAM調制方式的相干光通信系統進行了仿真驗證,指出了高速數據轉換器在下一代光傳送網絡中的重要意義。詳細介紹了相干光通信系統的各個主要模塊,并分析了采用4ASK方式的16QAM調制格式生成方案。
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ENIDINE 緩沖器產品系列有 OEMXT/OEM系列(可調緩沖器)、TK/STH系列(不可調緩沖器)、PM/PRO系列(不可調緩沖器)、HDA/HDN系列(重型緩沖器)、HI系列(重型緩沖器)。
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